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芯聯(lián)LDO選型分享昂洋科技

作者: 昂洋運(yùn)營(yíng)部發(fā)表時(shí)間:2022-08-15 16:23:46瀏覽量:1632

芯聯(lián) LDO——最基本的電源IC,是一種低壓差線性穩(wěn)壓器,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管(FET),從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。
文本標(biāo)簽:芯聯(lián)LDO

     芯聯(lián)LDO——最基本的電源IC,是一種低壓差線性穩(wěn)壓器,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管(FET),從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。



     芯聯(lián)LDO——最基本的電源IC,是一種低壓差線性穩(wěn)壓器,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管(FET),從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。
     正輸出電壓的芯聯(lián)LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2V 左右。負(fù)輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設(shè)備,其運(yùn)行模式與正輸出 LDO 的 PNP設(shè)備類似
芯聯(lián)LDO看似簡(jiǎn)單,在實(shí)際選型應(yīng)用中還是有很多需要注意的地方,下面分幾點(diǎn)概要述說下LDO選型需要注意的點(diǎn):
1. 實(shí)際應(yīng)用時(shí)輸入電壓-輸出電壓較大時(shí)需評(píng)估Power Dissipation, PD是否可以滿足,而不只 看芯片標(biāo)稱的輸出電流能力。
2. 實(shí)際應(yīng)用時(shí)輸入電壓-輸出電壓較小時(shí)需評(píng)估Dropout Voltage是否足夠,需滿足:輸入電壓輸出電壓>Dropout Voltag。
3. 使用輸出可調(diào)型號(hào)時(shí),F(xiàn)B電阻需放在靠芯片且上偏電阻取在電容之后,還需確認(rèn)規(guī)格書對(duì)阻 值是否有要求,一般阻值選取越小抗干擾越強(qiáng),但取樣電阻上損耗會(huì)加大,取大可能造成輸出 電壓不穩(wěn)定。
4. LDO輸出端接有其它電壓源時(shí)需考慮LDO內(nèi)部MOS體內(nèi)二極的存在,一般規(guī)格書未有標(biāo)注,需 選用防反灌型號(hào)。

5. 評(píng)估PD是否足夠時(shí) ,需注規(guī)格書標(biāo)注的測(cè)試條件,一般應(yīng)用時(shí),如無法達(dá)到規(guī)格書測(cè)試條件 ,應(yīng)以實(shí)物實(shí)測(cè)溫度來評(píng)估。

深圳昂洋科技有限公司是一家以代理為主的電子元器件、半導(dǎo)體器件、被動(dòng)元器件的整合供應(yīng)商,主營(yíng)阻容線;國(guó)巨,三星,村田,風(fēng)華高科,華新,信昌,達(dá)方,禾伸堂,天二,旺詮,厚聲,麗智,光頡,富捷,大毅,太陽誘電,東電化,三環(huán),三和,電感磁珠;奇力新,風(fēng)華高科,臺(tái)慶,東電化,順絡(luò),村田,麥捷,mos管華潤(rùn)微,麗攜,電解電容品牌,尼吉康,金維承,承興,艾華,云星,三瑩,二三極管,長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶,先科,科范,晶導(dǎo)微,樂山無線電,固得沃克,辰達(dá)行,法拉電容;永銘風(fēng)華高科等知名品牌。


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